Quinas, una empresa derivada de la Universidad de Lancaster, la empresa global de semiconductores IQE y las universidades de Lancaster y Cardiff han recibido una subvención de Innovate UK por valor de 1,1 millones de libras.
Quinas coordinará este ambicioso proyecto, que es el primer paso hacia la producción a gran escala de la memoria informática universal ULTRARAM™, inventada por el profesor de física de la Universidad de Lancaster Manus Hayne.
ULTRARAM posee propiedades extraordinarias, combinando la no volatilidad de una memoria de almacenamiento de datos, como la flash, con la velocidad, la eficiencia energética y la resistencia de una memoria de trabajo, como la DRAM.
La mayor parte de la financiación del proyecto de un año se destinará a IQE, que ampliará la fabricación de capas de semiconductores compuestos de la Universidad de Lancaster a un proceso industrial en la empresa con sede en Cardiff. Esto implicará que IQE desarrolle una capacidad avanzada para el crecimiento de los semiconductores compuestos antimoniuro de galio y antimoniuro de aluminio por primera vez. El proyecto sigue a una importante inversión para impulsar la industria de los semiconductores del Reino Unido y el establecimiento del primer clúster de semiconductores compuestos del mundo en el sur de Gales.
El profesor Hayne, que es el responsable del equipo de Lancaster, cofundador y director científico de Quinas, dijo: “Estamos encantados de que Innovate UK apoye este ambicioso proyecto y de que IQE se haya comprometido a desarrollar la primera parte de la producción en masa de ULTRARAM”.
Se estima que el mercado mundial de chips de memoria alcanzará los 320.000 millones de dólares estadounidenses en 2030, pero el Reino Unido no tiene actualmente ninguna participación en él.
El profesor Hayne dijo: “ULTRARAM representa una tremenda oportunidad económica para el Reino Unido, y las eficiencias que podría aportar a la computación a todas las escalas tiene el potencial de generar enormes ahorros de energía y reducción de las emisiones de carbono”.
Jessica Wenmouth, directora de comercialización de investigación de la Universidad de Lancaster, dijo: “Estoy encantada de apoyar a nuestra empresa derivada Quinas en su camino para escalar esta innovación liderada por Lancaster a un proceso industrial adecuado para una fábrica de fundición de semiconductores, generando así un impacto de la investigación a través de la comercialización.
“Este proyecto no sólo se alinea con la estrategia de la Universidad de Lancaster de fomentar la investigación y la innovación de alto impacto, sino que también demuestra la utilización eficaz de la financiación estratégica de las subvenciones junto con la inversión de capital privado. Estas colaboraciones son cruciales para llevar nuevos productos al mercado e impulsar una inversión significativa en el Reino Unido para tecnologías emergentes, mejorando nuestra posición nacional y global en campos de vanguardia”.
El objetivo del proyecto de un año para industrializar el proceso implica ampliar los diámetros de las obleas ULTRARAM de 3″ en Lancaster a 6″ en IQE. Esto se conseguirá utilizando la técnica de producción convencional de epitaxia en fase de vapor de metales orgánicos (MOVPE), también llamada deposición química en fase de vapor de metales orgánicos (MOCVD), en lugar de la epitaxia de haz molecular (MBE), que se utiliza normalmente en las universidades.
El profesor Hayne dijo: “Lancaster realizará algunas epitaxias MBE iniciales como control/plantilla para el crecimiento industrial. Nuestro papel clave será caracterizar el material de antimoniuro cultivado en IQE, y una vez que se confirme la calidad suficiente, fabricaremos y probaremos la memoria ULTRARAM en áreas pequeñas de las obleas de IQE.
“Paralelamente a esto, Lancaster seguirá trabajando en la escalabilidad de ULTRARAM, reduciendo el tamaño de los dispositivos individuales (“ley de Moore”) y creando matrices cada vez más grandes. Una vez que los dispositivos sean lo suficientemente pequeños y las matrices lo suficientemente grandes, la siguiente etapa será demostrar la fabricación en una oblea completa de 8″, y luego trasladar el proceso a uno industrial, adecuado para una fábrica de fundición de semiconductores”.
ULTRARAM explota el efecto túnel cuántico resonante para lograr sus extraordinarias propiedades y se implementa en semiconductores compuestos que se utilizan en dispositivos fotónicos como LED, diodos láser y detectores infrarrojos, pero no en electrónica digital, que es el dominio del silicio.
Método de investigación
Estudio experimental
Asunto de la investigación
No aplicable
